​三星量产 12nm DDR5 内存：功耗骤降 23％、量产率提高 20%

三星量产 12nm DDR5 内存：功耗骤降 23％、量产率提高 20%

三星电子官方宣布，他们已经开始量产采用 12nm 级工艺的 DDR5 DRAM 内存芯片。这种新内存具有每颗 16Gb ( 2GB ) 的容量，最高速度可达 7.2Gbps ( 等效频率 7200MHz ) ，相当于每秒能处理两部 30GB 的超高清电影。

相较于上一代产品，12nm DDR5 内存的功耗降低了 23％，同时晶圆生产率提高了 20％，对于服务器和数据中心来说，这对于节能减排非常有益。

三星透露，12nm 级工艺的开发基于一种新型的高 K 材料，该材料可以提高电池电容，使得数据信号的电位差更加明显，进而更容易准确区分。

此外，三星还在降低工作电压和噪声方面取得了新的突破。值得一提的是，去年 12 月，三星已完成了 16Gb DDR5 DRAM 与 AMD 处理器平台的兼容性评估。

小编点评：三星宣布已开始大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM，这将进一步巩固其在存储芯片领域的领先地位。新内存的功耗降低 23％，晶圆生产率提高 20％，且具备出色的处理速度和节能性能，有望满足数据中心、AI 和新兴计算应用的需求。